Kontrol af membranmodstand i højspændingsmodstande

Syntetisk kulfilm og metallisk glasurfilm kan have meget høj filmbestandighed, så de bruges til at lavehøjspændingsmodstande. Ud over høj modstand,højspændingsmodstandeskal modstå en vis mængde strøm og højspænding. For at øge modstandsværdien og opnå en mindre spændingskoefficient skal den ledende film gøres smal og lang. Længden af ​​den syntetiske kulfilm bør ikke være kortere end 2 cm/kV.

Med hensyn til forbedringen af ​​spændingsmodstanden af ​​den metalliske glasur-resistive film er en fremgangsmåde til tilsætning af et krystalvækstkontrolmiddel til det metalliske glasmateriale blevet rapporteret i litteraturen. Den ledende fase i formlen er rutheniumoxid, bindemidlet er glas, krystalvækstkontrolmidlet er aluminiumoxidpulver, og bæreren er ethylcellulose. Den metalliske glasuropslæmning belægges på underlaget og brændes ved 975~1025℃ i 45~60 minutter. Under brændingsprocessen smelter bindemidlet, og den ledende fase fortsætter med at vokse, indtil den styres af kontrolmidlet. Krystalvækstkontrolmidlet danner en inert række af hulrum. Den ledende fase er stoffet i tomrumsarrayet. Spændingskoefficienten for filmlaget under spændingsgradienten på 1100V/cm (modstandsfilmlængde) er 400×10-6/V. Trykmodstanden forbedres også ved at tilføje kontrolmidler. Brug kontrolmidler med partikler mindre end 1μ (f.eks. 0,3μ), med en spændingsmodstand på 1100V/cm (længde af modstandsfilm). Ved hjælp af et kontrolmiddel med en partikelstørrelse på 0,1μ kan trykmodstanden øges til 2200V/cm (modstandsfilmlængde). Med hensyn til filmens øvrige forhold henvises til metalglasurmodstanden.